PLD#1 | Yoshimatsu-Lab

PLD装置 (1号機: k-Pod)

自作、ただし基本パーツの多くはパスカルから調達。

基板レーザ加熱 (>1300℃)　基板表面/裏面パイロメータ有
到達真空度: < 6x10^-9 Torr (酸化物ターゲット導入時)
ターゲット機構 (6個+クリア位置)　ツイスト機構付
VP製 30 KeV RHEED, KSA製解析ソフト
自作ロードロック機構　（サンプルx3, target x1）
ICF152 パックマン (防着板回転6回)
手動成膜 (*ターゲットはタッチパネル、マスクはリモコン、加熱は温度調節器によるPID制御と準自動化)

半導体レーザによる高温基板加熱

　本装置では、半導体レーザを用いて基板を裏面加熱して成長温度を制御している。ランプ加熱（Tsub ≤ 850ºでC)は不可能な高温環境での薄膜成長が可能である。通常の半導体レーザ加熱を持つPLD装置では基板温度の上限を1000ºCとする場合が多いが、本装置ではレーザの極限集光加熱と微小基板用の自作サンプルホルダを用いて最高1300ºC下での安定した薄膜合成を実現している。

自作 L. L. 機構

戻る